居天下之广居，立天下之正位，行天下之大道

IGBT,中文全名为绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的功率半导体器件，因其优越性能在多领域广泛应用，市场规模自2012年至2021年间增长超过一倍，达到70.9亿美元，年均增长率6.6%，主要受工业控制和新能源汽车领域的强劲需求驱动。碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，凭借其超凡的物理属性，在高压、高频、高温等极端条件下表现更优，尤其在新能源领域展现出巨大潜力。预计到2027年，全球SiC功率器件市场将迅速扩张至62.97亿美元，中国市场的SiC和GaN电力电子器件同样迅猛增长，2020年规模已达46.8亿元，预估未来五年将以约45%的年复合增长率，市场规模有望逼近300亿元，凸显了SiC器件在电力电子行业快速革新的重要地位。